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性能良好的雪崩光电二极管的光电流平均增益嚔可以达到几十、几百倍甚至更大。半导体中两种载流子的碰撞离化能力可能不同，因而使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽区有利于在相同的电场条件下获得较高的雪崩倍增。但是，光电流的这种雪崩倍增并不是理想的。一方面，由于嚔随注入光强的增加而下降，使雪崩光电二极管的线性范围受到一定的限制，另一方面更重要的是，由于载流子的碰撞电离是一种随机的过程，亦即每一个别的载流子在耗尽层内所获得的雪崩增益可以有很泛的几率分布，因而倍增后的光电流I比倍增前的光电流I0有更大的随机起伏，即光电流中的噪声有附加的增加。与真空光电倍增管相比，由于半导体中两种载流子都具有离化能力，使得这种起伏更为严重。成都IV光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。深圳高精度光电批发

光电转换器是一种将光信号转换为电信号或将电信号转换为光信号的器件。它是光通信系统中的组件之一，用于实现光信号与电信号之间的相互转换。光电转换器通常分为两种类型：光电二极管和光电晶体管。光电二极管是一种将光信号转换为电信号的器件，其工作原理是利用半导体材料的光电效应将光信号转换为电信号。光电晶体管则是一种将电信号转换为光信号的器件，其工作原理是利用半导体材料的PN结来实现电信号到光信号的转换。光电转换器广泛应用于光通信系统、光传感器、光存储器等领域。在光通信系统中，光电转换器通常用于将光信号转换为电信号，以便进行信号的处理和调制；在光传感器中，光电转换器通常用于将光信号转换为电信号，以便进行光强、颜色等参数的检测；在光存储器中，光电转换器则用于将电信号转换为光信号，以便进行光存储。总之，光电转换器是一种将光信号转换为电信号或将电信号转换为光信号的器件，是光通信系统和其他光相关领域中不可或缺的组件。绵阳紫外光电定制广州电流电压转换光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

发光二极管的部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。在些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子和多数载流子以光的形式释放多余的能量，从而直接将电能转化为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，因此不发光。当它处于正工作状态(即两端加正电压)，电流从阳极流向阴极时，半导体发出从紫外线到其他不同颜色的光，光的强度与电流有关。发光二极管与光电二极管的区别普通二极管在反向电压作用下处于截止状态，只能流过微弱的反向电流。光电二极管在设计和生产过程中应尽量使PN结面积相对较大，以便接收收入射光。光电二极管在反向电压下工作。当没有光时，反向电流非常微弱，称为暗电流;当有光时，反向电流迅速增加到几十个微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流就越大。光的变化会导致光电二极管的电流变化，从而将光信号转换为电信号，成为光电传感器。

光电二极管的速度（带宽）通常受到电气参数（电容和外部电阻）或内部效应的限制，如耗竭区的载流子传输时间。(在某些情况下，耗尽区外产生的载流子的相对缓慢的扩散限制了带宽）。几十千兆赫的带宽通常是通过小的有源区（直径远低于1毫米）和小的吸收体积实现的。这种小面积的有源器件仍然是实用的，特别是对于光纤耦合器件，但它们将可实现的光电流限制在1毫安或更少，对应的光功率为≈2毫瓦或更少。更高的光电流实际上对抑制射出噪声和热噪声是可取的。(更高的光电流在值上会增加射出噪声，但相对于信号来说会减少它）。较大的有源区（直径可达1厘米）允许处理较大的光束和更高的光电流，但代价是速度较低。高带宽（几十千兆赫）和高光电流（几十毫安培）的组合是在速度匹配的光电探测器中实现的，它包含几个小面积的光电探测器，它们与光波导弱耦合并将其光电流输送到一个共同的射频波导结构中。广州纳秒光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

与其他光电二极管相比，雪崩光电二极管在高反向偏置条件下工作。因此，通过光撞击或光子形成的电荷载流子使雪崩倍增。雪崩作用可使光电二极管的增益提高数倍，以提供高灵敏度范围。雪崩击穿主要发生在光电二极管承受最大反向电压时，该电压增强了耗尽层之外的电场。当入射光穿透 p+ 区域时，它会在电阻极大的 p 区域内被吸收，然后生成电子-空穴对。只要存在高电场，电荷载流子包括其饱和速度就会漂移到 pn+ 区域。当速度高时，载流子将通过其他原子碰撞并产生新的电子-空穴对，巨大的电荷载流子对将导致高光电流。低速光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。重庆在线光电接收模块

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光电二极管可以在两种非常不同的模式下工作。光伏模式：像太阳能电池一样，被照亮的光电二极管产生一个可以测量的电压。然而，该电压对光功率的依赖性是非线性，而且动态范围相当小。另外，也没有达到速度。光导模式：在这里，对二极管施加反向电压（即在没有入射光线的情况下二极管不导电的方向施加电压），并测量由此产生的光电流。该反向偏置模式的简单解决方案是基于一个电压源和一个负载电阻。光电流对光功率的依赖性在光功率的六个或更多数量级上可以是非常线性的，例如，对于活性面积为几平方毫米的硅p-i-n光电二极管来说，其范围从几纳瓦到几十毫瓦。反向电压的大小对光电流几乎没有影响，而对暗电流（通常很小）（在没有光的情况下获得）有一些影响。较高的反向电压往往会使反应更快，但也会增加器件的加热，这对高光电流来说是个问题。深圳高精度光电批发

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